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MGV0605R82M-10

MGV0605R82M-10 - FIXED IND 820NH 16.5A 4.9 MOHM
已过时的产品。
Laird-Signal Integrity Products MGV0605R82M-10
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制造商: Laird-Signal Integrity Products
制造商产品编号:MGV0605R82M-10
仓库库存编号:240-2919-1-ND
描述:FIXED IND 820NH 16.5A 4.9 MOHM
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:820nH Shielded Wirewound Inductor 16.5A 4.9 mOhm Max Nonstandard
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公司简介

深圳市创唯电子有限公司,是技术专业的电子元件单独分销商,由电子行业杰出人员,协同曾在海外公司工作中的供应链专业人员相互建立,有着一支现代化市场销售工作能力的团队,市场定位在通信、家用电器、仪表仪器和航天航空、互联网及消费性电子器件等行业。 历经不屑一顾的勤奋,人们的客户遍及世界各国,广受全球诸多客户的五星好评与信任。专营店集成电路芯片、光学元器件、公司分立半导体材料、存储模块、频射/IFRFID、电源开关、滤波器、电阻器、电容、电感、变阻器、汽车继电器、感应器件、编程器开发设计系统软件、充电电池等为众多客户提供一条龙的配套设施服务项目。   现阶段公司主营以下:   ◆分销AtmelOKILatticeONAD等全线产品; ◆分销MAXIMDALLASSTRohm全线产品, ◆分销AnalogFairchildIntelMicrochip全线产品;   ◆分销InfineonIntersilNxpPanasonicRamtronSharp全线产品;   ◆分销NXPTINSCYPRESSTOSHIBASONYTDK等全线产品。 公司所产品品种均确保为原装原包裝及最新消息年代,以最有效的价钱长期为众多客户提供很多现货交易,所运营的知名品牌均可系列产品接纳订单信息,以处理客户资产库存积压的苦恼,所运营的知名品牌均可提供技术专业的服务支持,以处理客户的瓶颈问题。将来,人们将再次以提供更优更广的服务项目,帮助客户及生产商提升市场竞争力,饰演好最好电子器件零组件通路商人物角色。 凭着技术专业的服务项目,经济全球化的供货工作能力。

主营业务范畴:   ◆分销AtmelOKILatticeONAD等全线产品; ◆分销MAXIMDALLASSTRohm全线产品, ◆分销AnalogFairchildIntelMicrochip全线产品;   ◆分销InfineonIntersilNxpPanaso

MGV0605R82M-10产品属性

产品规格
  封装/外壳  非标准  
  制造商  Laird-Signal Integrity Products  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 125°C  
  类型  绕线  
  系列  MGV  
  包装  剪切带(CT)   
  等级  -  
  高度 - 安装(最大值)  0.209"(5.30mm)  
  大小/尺寸  0.287" 长 x 0.264" 宽(7.30mm x 6.70mm)  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  -  
  容差  ±20%  
  材料 - 磁芯  -  
  电感  820nH  
  频率 - 测试  100kHz  
  DC 电阻(DCR)  4.9 毫欧最大  
  屏蔽  屏蔽  
  额定电流  16.5A  
  电流 - 饱和值  16A  
  不同频率时的 Q 值  -  
关键词         

产品资料 
数据列表 MGV0605 Series Datasheet
MGV0605R82M-10 Drawing
标准包装 1
其它名称 240-2919-1 
行业资讯

此项探索与发现或将摆脱摩尔定律?三维层叠晶体管确实行得通吗?

11  21 图讯,生物学家已经想尽办法提升摩尔定律的極限,近期有生物学家应用三维层叠晶体管取得成功摆脱摩尔定律。

现阶段,用以电脑CPU的硅集成电路正贴近单独集成ic上晶体管的较大行得通相对密度,最少在二维列阵中是那样。摩尔定律看起来已无法保持。美国密歇根大学一科学研究精英团队却独辟蹊径,将晶体管列阵带到三维空间,在最优秀的硅芯片上立即层叠第二层晶体管。这一科学研究为开发设计摆脱摩尔定律的硅集成电路摊平了路面。

摩尔定律觉得,集成电路上可容下的晶体管数量,约每过2年便会增加一倍。现阶段硅集成电路的晶体管相对密度已贴近極限。而随之硅晶体管规格变得更加小,他们的工作频率也在不断降低,造成最优秀的解决集成ic将会会与触摸板、显示信息控制器等高线工作电压插口部件不谦容,后面一种必须在更高工作电压下运作,以防止不正确的接触数据信号或过低色度设定这类的危害。这就必须附加的集成ic来解决插口机器设备和CPU中间的数据信号变换。

为处理所述难题,密歇根大学科学研究工作人员根据额外元器件层的片式三维集成化,来提升硅相辅相成氢氧化物半导体材料集成电路的特性。她们最先应用含铁和锡的水溶液遮盖硅芯片,在其表层产生匀称镀层,接着短暂性烤制使其干躁,历经持续反复后做成一层约 75 纳米技术厚的氧化锌锡膜。应用该氧化锌锡膜生产制造的塑料薄膜晶体管能够承担比正下方硅芯片更高的工作电压。

以便处理2个元器件层中间的工作电压失配难题,科学研究工作人员选用了顶端肖特基、底端欧母的触碰构造,在接触点加上的肖特基自动门塑料薄膜晶体管和竖直塑料薄膜二极管具备优质的电源开关特性。检测显示信息,在集成化了髙压塑料薄膜晶体管后,基本硅芯片依然能够工作中。

科学研究工作人员表达,硅集成电路在低压(约 1 伏)下工作中,但能够根据片式集成化塑料薄膜晶体管来出示高工作电压解决工作能力,进而免去了对附加集成ic的要求。她们的新方式 将金属氧化物电磁学的优点引进到单独硅晶体管中,有利于更紧凑型、具备更智能的集成ic的开发设计。

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FIXED IND 820NH 16.5A 4.9 MOHM

详细描述:820nH Shielded Wirewound Inductor 16.5A 4.9 mOhm Max Nonstandard
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别名:240-2919-1 

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