SQJA62EP-T1_GE3,2708314,晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SQJA62EP-T1_GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SQJA62EP-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号：
2708314
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
您可通过官网直接下单选定型号并完成支付（请确保型号准确），销售团队将同步审核；线下合同交易模式同步开放，具体流程请联系我司业务代表。


数据正在加载中...

SQJA62EP-T1_GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0037ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  68W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SQJA62EP-T1_GE3相关搜索

晶体管极性 N沟道  VISHAY 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 60A  VISHAY 电流, Id 连续 60A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 60A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 60A   漏源电压, Vds 60V  VISHAY 漏源电压, Vds 60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 60V   在电阻RDS（上） 0.0037ohm  VISHAY 在电阻RDS（上） 0.0037ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0037ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0037ohm   电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 2V  VISHAY 阈值电压 Vgs 2V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2V   功耗 Pd 68W  VISHAY 功耗 Pd 68W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 68W  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 68W   晶体管封装类型 PowerPAK SO  VISHAY 晶体管封装类型 PowerPAK SO  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PowerPAK SO  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PowerPAK SO   针脚数 8引脚  VISHAY 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 175°C  VISHAY 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 TrenchFET Series  VISHAY 产品范围 TrenchFET Series  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series   汽车质量标准 AEC-Q101  VISHAY 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Channel Automotive 60V 75A 4-Pin PowerPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SQJA62EP-T1_GE3)

RoHS: Not Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

SQJA62EP-T1_GE3

RoHS: Compliant

搜索
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

SQJA62EP-T1_GE3

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SQJA62EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, POWERPAK SO

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Vishay Siliconix - SQJA62EP-T1_GE3 - MOSFET N-CH 60V 60A SO8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号：SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA62EP-T1_GE3CT <br>

无铅		搜索
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SQJA62EP-T1_GE3
VISHAY SQJA62EP-T1_GE3		2708314

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQJA62EP-T1_GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000186
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示