SIHD7N60E-GE3,2459329,MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-252-3,VISHAY
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SIHD7N60E-GE3 - 

MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-252-3

VISHAY SIHD7N60E-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号：
2459329
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHD7N60E-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  7A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  0.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  78W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SIHD7N60E-GE3
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MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIHD7N60E-GE3
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MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant

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SIHD7N60E-E3
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MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

RoHS: Compliant

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SIHD7N60E-GE3
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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SIHD7N60E-GE3
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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: SIHD7N60E-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SIHD7N60E-GE3
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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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SIHD7N60E-GE3
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MOSFET, N-CH, 600V, 7A, DPAK

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MOSFET, N CHANNEL, 575V, 7A, TO-252-3

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SIHD7N60E-GE3
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MOSFET 600V 600MOHM@10V 7A N-CH E-SRS

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIHD7N60E-GE3
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MOSFET 600V 600MOHM@10V 7A N-CH E-SRS

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 600V 600MOHM@10V 7A N-CH E-SRS

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MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

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Vishay Siliconix - SIHD7N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 7A TO-252		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak

型号：SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号：SIHD7N60E-GE3-ND
别名：SIHD7N60EGE3 <br>

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SIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3		2283642

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V

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SIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3		2459329

VISHAY

MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-252-3

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SIHD7N60E-GE3|Vishay SiliconixSIHD7N60E-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N CH 600V 7A TO-252
Rohs

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SIHD7N60E-GE3|VISHAY SILICONIXSIHD7N60E-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N CH 600V 7A TO-252
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QQ:800152669

SIHD7N60E-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000642
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