SI9433BDY-T1-GE3,1794810,晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V,VISHAY
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SI9433BDY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V

VISHAY SI9433BDY-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI9433BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
1794810
技术数据表：
(EN)
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SI9433BDY-T1-GE3
库存编号:SI9433BDY-T1-GE3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO2529
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SI9433BDY-T1-GE3
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SI9433BDY-T1-GE3
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SI9433BDY-T1-GE3
库存编号:1794810RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, 20V, 4.5A, 8SOIC0
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SI9433BDY-T1-GE3
库存编号:1794810		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, 20V, 4.5A, 8SOIC0
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SI9433BDY-T1-GE3
库存编号:SI9433BDY-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V0
2500起订		2500+
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SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies  
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SI9433BDY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -4.5A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.03ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  1.3W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI9433BDY-T1-GE3
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MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI9433BDY-T1-GE3
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MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant

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SI9433BDY-T1-GE3
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Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI9433BDY-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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MOSFET, P CH, 20V, 4.5A, 8SOIC

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MOSFET, P CH, 20V, 4.5A, 8SOIC

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SI9433BDY-T1-GE3
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Si9433BDY Series 20 V 6.2 A 0.040 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI9433BDY-T1-GE3
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MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix - SI9433BDY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO

型号：SI9433BDY-T1-GE3
仓库库存编号：SI9433BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI9433BDY-T1-GE3CT <br>

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SI9433BDY-T1-GE3
VISHAY SI9433BDY-T1-GE3		1794810

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V

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SI9433BDY-T1-GE3
VISHAY SI9433BDY-T1-GE3		1794810RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V

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SI9433BDY-T1-GE3|VISHAYSI9433BDY-T1-GE3
VISHAY		场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A 8SOIC
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI9433BDY-T1-GE3|VISHAYSI9433BDY-T1-GE3
VISHAY		场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A 8SOIC
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SI9433BDY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
Rohs

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SI9433BDY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI9433BDY-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85411000
重量（千克）：
.000272
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