SI7370DP-T1-GE3,2400367,晶体管, MOSFET, N沟道, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V,VISHAY
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SI7370DP-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SI7370DP-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7370DP-T1-GE3
仓库库存编号：
2400367
技术数据表：
(EN)
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SI7370DP-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  9.6A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.009ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  1.9W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SI7370DP-T1-GE3
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MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 60V 15.8A 5.2W 11mohm @ 10V

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SI7370DP-T1-GE3
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MOSFET

RoHS: Compliant

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SI7370DP-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7370DP-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SI7370DP-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7370DP-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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MOSFET, N CH, 60V, 9.6A, POWERPAK SO-8

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60V,15.8A,11Mohm RdsOn@10V,46nCQg,PPAK SO-8

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MOSFET 60V 15.8A 5.2W 11mohm @ 10V

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SI7370DP-T1-GE3
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9.6 A, 60 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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Vishay Siliconix - SI7370DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta）

型号：SI7370DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7370DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7370DP-T1-GE3CT <br>

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SI7370DP-T1-GE3
VISHAY SI7370DP-T1-GE3		2400367

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

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SI7370DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI7370DP-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
Rohs

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Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
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SI7370DP-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00069
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