CSD75208W1015,2447874,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015
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制造商产品编号:
CSD75208W1015
仓库库存编号:
2447874
技术数据表:
(EN)
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CSD75208W1015产品信息

  晶体管极性  双P沟道  
  电流, Id 连续  -1.6A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.056ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -800mV  
  功耗 Pd  750mW  
  晶体管封装类型  DSBGA  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  85°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

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MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET

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MOSFET 20V PCH NexFET Pwr MOSFET

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Texas Instruments - CSD75208W1015 - MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA

型号:CSD75208W1015
仓库库存编号:296-38339-1-ND
别名:296-38339-1 <br>

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Texas Instruments - CSD75208W1015T - MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
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MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA

型号:CSD75208W1015T
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

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MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
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CSD75208W1015产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
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