CSD23203WT,2466806,晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD23203WT - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT
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制造商产品编号：
CSD23203WT
仓库库存编号：
2466806
技术数据表：
(EN)
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CSD23203WT产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3A  
  漏源电压, Vds  -8V  
  在电阻RDS（上）  0.0162ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -800mV  
  功耗 Pd  750mW  
  晶体管封装类型  DSBGA  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

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MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA

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MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 8V 3A 6-Pin DSBGA T/R - Tape and Reel (Alt: CSD23203WT)

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Trans MOSFET P-CH 8V 3A 6-Pin DSBGA T/R (Alt: CSD23203WT)

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MOSFET, P CHANNEL, -8V, -3A, DSBGA-6

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MOSFET, P CHANNEL, -8V, -3A, DSBGA-6

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Texas Instruments - CSD23203WT - MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA		Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA

型号：CSD23203WT
仓库库存编号：296-38615-1-ND
别名：296-38615-1 <br>

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Texas Instruments - CSD23203WT - Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23203WT, 3 A, Vds=8 V, 6引脚 DSBGA封装
制造商零件编号：
CSD23203WT
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
900-9949
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CSD23203WT
TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT		2466806

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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV

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TEXAS INSTRUMENTS CSD23203WT		2466806RL

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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -8 V, 0.0162 ohm, -4.5 V, -800 mV

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无图CSD23203WT
Texas Instruments		MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
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QQ:800152669

CSD23203WT产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.0005
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