CSD23202W10T,2447871,晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD23202W10T - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T
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制造商产品编号：
CSD23202W10T
仓库库存编号：
2447871
技术数据表：
(EN)
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CSD23202W10T产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -2.2A  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS（上）  0.044ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -600mV  
  功耗 Pd  1W  
  晶体管封装类型  DSBGA  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

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MOSFET 12V PCH NexFET

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MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/R (Alt: CSD23202W10T)

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Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/R - Tape and Reel (Alt: CSD23202W10T)

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MOSFET, P CH, -12V, -2.2A, DSBGA-4

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MOSFET, P CH, -12V, -2.2A, DSBGA-4

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Texas Instruments - CSD23202W10T - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA		Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）

型号：CSD23202W10T
仓库库存编号：296-38338-1-ND
别名：296-38338-1 <br>

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晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

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晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV

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Texas Instruments		MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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QQ:800152669

CSD23202W10T产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85423190
重量（千克）：
.0005
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