VNB35N07TR-E,1739405,晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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VNB35N07TR-E - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E
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制造商产品编号：
VNB35N07TR-E
仓库库存编号：
1739405
技术数据表：
(EN)
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VNB35N07TR-E产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  18A  
  漏源电压, Vds  80V  
  在电阻RDS（上）  28mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  125W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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VNB35N07TR-E
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MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Power Switch Lo Side 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK

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MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK

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STMicroelectronics - VNB35N07TR-E - MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK		STMicroelectronics
MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK

型号：VNB35N07TR-E
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

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VNB35N07TR-E产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.005443
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