STU6N65M2,2460384,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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STU6N65M2 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS STU6N65M2
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制造商产品编号:
STU6N65M2
仓库库存编号:
2460384
技术数据表:
(EN)
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STU6N65M2
库存编号:497-15044-5-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 4A IPAK523
1起订
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75+
150+
525+
1050+
2025+
5025+
10050+
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STU6N65M2
库存编号:511-STU6N65M2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package2900
1起订
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STU6N65M2-S
库存编号:511-STU6N65M2-S
STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE0
1起订
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STU6N65M2
库存编号:STU6N65M2
STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STU6N65M2)0
3000起订
3000+
6000+
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24000+
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STU6N65M2-S
库存编号:STU6N65M2-S
STMicroelectronics - Rail/Tube (Alt: STU6N65M2-S)0
3000起订
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STU6N65M2 STMicroelectronics  
2569
1起订
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STU6N65M2产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  4A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS(上)  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  60W  
  晶体管封装类型  TO-251  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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STU6N65M2
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MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET POWER MOSFET

RoHS: Compliant

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MOSFET

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin IPAK Tube (Alt: STU6N65M2)

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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STU6N65M2)

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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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STU6N65M2
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STMicroelectronics

MOSFET, N CHANNEL, 650V, 4A, TO-251-3

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STMicroelectronics - STU6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)

型号:STU6N65M2
仓库库存编号:497-15044-5-ND
别名:497-15044-5 <br>

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无图STU6N65M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
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STU6N65M2
STMICROELECTRONICS STU6N65M2
2460384

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

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STU6N65M2产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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