STU3N62K3,2098356,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V,STMICROELECTRONICS
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STU3N62K3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STU3N62K3
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制造商产品编号：
STU3N62K3
仓库库存编号：
2098356
技术数据表：
(EN)
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STU3N62K3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  2.7A  
  漏源电压, Vds  620V  
  在电阻RDS（上）  2.2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.75V  
  功耗 Pd  45W  
  晶体管封装类型  TO-251  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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STU3N62K3
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MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK

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STU3N62K3
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MOSFET N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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STU3N62K3
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Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STU3N62K3)

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Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube (Alt: STU3N62K3)

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STU3N62K3
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Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, IPAK

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STU3N62K3
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 620V, 1.7A, 45W, IPAK

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STU3N62K3
STMICROELECTRONICS STU3N62K3		2098356

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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V

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STU3N62K3|STMicroelectronicsSTU3N62K3
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
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STU3N62K3|STMicroelectronicsSTU3N62K3
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STU3N62K3 - STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
制造商零件编号：
STU3N62K3
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
761-0231
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STMicroelectronics - STU3N62K3 - MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） I-Pak

型号：STU3N62K3
仓库库存编号：497-12695-5-ND
别名：497-12695-5 <br>STU3N62K3-ND <br>

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QQ:800152669

STU3N62K3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.006577
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