STN3PF06,1291978,晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V,STMICROELECTRONICS
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STN3PF06 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

STMICROELECTRONICS STN3PF06
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制造商产品编号：
STN3PF06
仓库库存编号：
1291978
技术数据表：
(EN)
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STN3PF06产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  2.5A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  200mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
STN3PF06
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MOSFET P-Ch 60 Volt 2.5 Amp

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
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Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R (Alt: STN3PF06)

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型号 制造商 描述 操作
STN3PF06
[更多]		 STMicroelectronics

MOSFET Transistor, P-Channel, SOT-223

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STMicroelectronics - STN3PF06 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223		STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.5A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223

型号：STN3PF06
仓库库存编号：497-4116-1-ND
别名：497-4116-1 <br>

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STN3PF06
STMICROELECTRONICS STN3PF06		1291978

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

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STN3PF06|STMICROELECTRONICSSTN3PF06
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET P沟道 2.5W SOT-223
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无图STN3PF06.
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STN3PF06|STMicroelectronicsSTN3PF06
STMicroelectronics		MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
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STN3PF06产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000083
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