STD4N62K3,2098173,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V,STMICROELECTRONICS
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STD4N62K3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STMICROELECTRONICS STD4N62K3
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制造商产品编号：
STD4N62K3
仓库库存编号：
2098173
技术数据表：
(EN)
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STD4N62K3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  3.8A  
  漏源电压, Vds  620V  
  在电阻RDS（上）  1.7ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.75V  
  功耗 Pd  70W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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STD4N62K3
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MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

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MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

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MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

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Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD4N62K3)

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Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD4N62K3)

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Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, DPAK

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 620V, 2A, 70W, DPAK

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STD4N62K3
STMICROELECTRONICS STD4N62K3		2098173

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V

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STMicroelectronics - STD4N62K3 - MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） D-Pak

型号：STD4N62K3
仓库库存编号：497-10648-1-ND
别名：497-10648-1 <br>

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STMicroelectronics - STD4N62K3 - STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
STD4N62K3
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
760-9575
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STD4N62K3|STMicroelectronicsSTD4N62K3
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Rohs

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STD4N62K3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.03
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