IRF630.. - STMICROELECTRONICS - 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V - 9802380

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IRF630NSTRLPBF [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	搜索
IRF630NSTRLPBF [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	搜索
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IRF630.. [更多]	STMicroelectronics	MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220	搜索
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IRF630 [更多]	STMicroelectronics	Single N-Channel 200 V 0.4 Ohm 31 nC 75 W Mesh overlay? II Power Mosfet-TO-220-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630NPBF [更多]	Infineon Technologies AG	Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630NPBF [更多]	Infineon Technologies AG	Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630NSTRLPBF [更多]	Infineon Technologies AG	Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630PBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB) RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630SPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	IRF630S Series N-Channel 200 V 400 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630STRLPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
IRF630STRLPBF [更多]	Vishay Intertechnologies	Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索

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IRF630NPBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 36 W

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IRF630NSPBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 82 W

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IRF630 [更多]	Vishay Siliconix	MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB	搜索
IRF630 [更多]	International Rectifier	MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB	搜索
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IRF630 [更多]	SEC	MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB	搜索
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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	IRF630 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220	查价格库存查看详细
	IRF630.. STMICROELECTRONICS	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630A IR	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630B IR	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630FI IR	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630FP STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP	查价格库存查看详细
	IRF630L VISHAY SILICONIX	MOSFET N-CH 200V 9A TO-262	查价格库存查看详细
	IRF630N International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB	查价格库存查看详细
	IRF630NL International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262	查价格库存查看详细
	IRF630NPB International Rectifier	MOSFET，N沟道，200V，9.3A，TO220AB 暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630NPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB	查价格库存查看详细
	IRF630NS International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK	查价格库存查看详细

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
IRF630	2144993	STMICROELECTRONICS N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A, TO-220 (EN)	搜索
IRF630..	9802380	STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V (EN)	搜索
IRF630NPBF	2565838	INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB	搜索
IRF630NPBF	8648344	INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V (EN)	搜索
IRF630PBF	2335243	VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 4 V (EN)	搜索

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	IRF630FP STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP	查价格库存查看详细
	IRF630L Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-262	查价格库存查看详细
	IRF630NL International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262	查价格库存查看详细
	IRF630NPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB	查价格库存查看详细
	IRF630NPB International Rectifier	MOSFET，N沟道，200V，9.3A，TO220AB 暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630NS International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK	查价格库存查看详细
	IRF630NSPB International Rectifier	MOSFET，N沟道，200V，9.3A，D2PAK 暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630PBF VISHAY		查价格库存查看详细
	IRF630PBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB	查价格库存查看详细
	IRF630PB Vishay	MOSFET，N沟道，200V，9A，TO220AB 暂无PDF	查价格库存查看详细
	IRF630SPBF VISHAY	Single N-Channel 200 V 400 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TO-263	查价格库存查看详细
	IRF630SPBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	查价格库存查看详细

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	IRF630 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220	查价格库存查看详细
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	IRF630NL International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262	查价格库存查看详细
	IRF630NPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB	查价格库存查看详细
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	IRF630PBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB	查价格库存查看详细
	IRF630S Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	查价格库存查看详细
	IRF630SPBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	查价格库存查看详细
	IRF630STRL Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	查价格库存查看详细

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF	操作
	International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.3Ohm; ID 9.3A; TO-220AB; PD 82W; VGS +/-20V 型号：IRF630NPBF 仓库库存编号：70017265		搜索
	Siliconix / Vishay IRF630PBF N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB 型号：IRF630PBF 仓库库存编号：70459391		搜索
	Vishay Dale TRANSITOR, IRF630PBF 型号：IRF630PBF 仓库库存编号：R1084536		搜索

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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IRF630
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
486-0171

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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IRF630
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
920-6673

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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF630NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-0068

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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF630NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-5025

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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF630PBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF630PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
708-4746

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB 型号：IRF630 仓库库存编号：497-2757-5-ND 别名：497-2757-5 <br>	无铅	搜索
	STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP 型号：IRF630FP 仓库库存编号：497-12489-5-ND 别名：497-12489-5 <br>IRF630FP-ND <br>	无铅	搜索
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB 型号：IRF630NPBF 仓库库存编号：IRF630NPBF-ND 别名：*IRF630NPBF <br>SP001564792 <br>	无铅	搜索
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） I2PAK 型号：IRF630L 仓库库存编号：IRF630L-ND 别名：*IRF630L <br>	含铅	搜索
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK 型号：IRF630NS 仓库库存编号：IRF630NS-ND 别名：*IRF630NS <br>	含铅	搜索
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262 型号：IRF630NL 仓库库存编号：IRF630NL-ND 别名：*IRF630NL <br>	含铅	搜索
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB 型号：IRF630PBF 仓库库存编号：IRF630PBF-ND 别名：*IRF630PBF <br>	无铅	搜索
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）型号：IRF630S 仓库库存编号：IRF630S-ND	含铅	搜索
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）型号：IRF630STRL 仓库库存编号：IRF630STRL-ND	含铅	搜索
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263）型号：IRF630STRR 仓库库存编号：IRF630STRR-ND	含铅	搜索

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	9A
漏源电压, Vds	200V
在电阻RDS（上）	400mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	3V
功耗 Pd	100W
晶体管封装类型	TO-220
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
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晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V

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散热器, TO-220/TO-3P, TO-3P, TO-220, 6.2 °C/W, 50.8 mm, 45 mm, 12.7 mm

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散热器, TO-220, TO-218, TO-220, TO-247, TO-248, 12 °C/W, 37.5 mm, 29 mm, 12 mm

MULTICOMP

固定套件, M3螺丝, 螺母, 两个垫圈, TO-220, TO-126, SOT-93封装

MULTICOMP

热绝缘, 绝缘套件, 云母, TO-220, 云母, 1 kV, 0.1 mm

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热绝缘, 绝缘套件, TO-220, 硅橡胶, 1 kV, 0.23 mm

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