SBC856BDW1T1G,2630313,双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363,ON SEMICONDUCTOR
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SBC856BDW1T1G - 

双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

ON SEMICONDUCTOR SBC856BDW1T1G
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制造商产品编号：
SBC856BDW1T1G
仓库库存编号：
2630313
技术数据表：
(EN)
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SBC856BDW1T1G产品信息

  晶体管极性  双PNP  
  集电极发射电压, Vceo  -65V  
  功耗 Pd  380mW  
  集电极直流电流  100mA  
  直流电流增益, hFE  150hFE  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SBC856BDW1T1G
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TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

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SBC856BDW1T1G
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Bipolar Transistors - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V

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Bipolar transistor

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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R (Alt: SBC856BDW1T1G)

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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R (Alt: SBC856BDW1T1G)

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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R - Tape and Reel (Alt: SBC856BDW1T1G)

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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R

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100 MA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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ON Semiconductor - SBC856BDW1T1G - TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363		ON Semiconductor
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

型号：SBC856BDW1T1G
仓库库存编号：SBC856BDW1T1GOSCT-ND
别名：SBC856BDW1T1GOSCT <br>

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无图SBC856BDW1T1G
ON Semiconductor		TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
Rohs

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SBC856BDW1T1G
ON SEMICONDUCTOR SBC856BDW1T1G		2630313

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双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

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SBC856BDW1T1G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.00004
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