NTMD6N03R2G,2535544,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.8 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTMD6N03R2G - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.8 V

ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G
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制造商产品编号:
NTMD6N03R2G
仓库库存编号:
2535544
技术数据表:
(EN)
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NTMD6N03R2G产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.024ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.8V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  NSOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NTMD6N03R2G
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MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

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MOSFET 30V 6A N-Channel

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Dual N-Channel 30 V 32 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

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Dual N-Channel 30 V 32 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

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NTMD6N03R2G
ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G
2535544

ON SEMICONDUCTOR

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.8 V

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ON Semiconductor - NTMD6N03R2G - MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC

型号:NTMD6N03R2G
仓库库存编号:NTMD6N03R2GOSCT-ND
别名:NTMD6N03R2GOSCT <br>

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ON Semiconductor
MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
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NTMD6N03R2G产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000211
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