PMDXB1200UPE,2498566,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -30 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -700 mV,NEXPERIA
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PMDXB1200UPE - 

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -30 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -700 mV

NEXPERIA PMDXB1200UPE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMDXB1200UPE
仓库库存编号：
2498566
技术数据表：
(EN)
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PMDXB1200UPE产品信息

  晶体管极性  双P沟道  
  电流, Id 连续  -410mA  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -700mV  
  功耗 Pd  285mW  
  晶体管封装类型  DFN1010B  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
PMDXB1200UPEZ
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MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 30V Dual P-Channel Trench MOSFET

RoHS: Compliant

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MOSFETs

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PMDXB1200UPEZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 8-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: PMDXB1200UPEZ)

RoHS: Compliant

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PMDXB1200UPE
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MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -0.41A, DFN-6

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PMDXB1200UPE
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MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -0.41A, DFN-6

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Nexperia USA Inc. - PMDXB1200UPEZ - MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN		Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 410mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6

型号：PMDXB1200UPEZ
仓库库存编号：1727-2276-1-ND
别名：1727-2276-1 <br>568-12562-1 <br>568-12562-1-ND <br>

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NXP		场效应管, MOSFET, 双路, P沟道, -30V, -0.41A, DFN-6;
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无图PMDXB1200UPEZ
NXP Semiconductors		MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
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PMDXB1200UPE产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.00007
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