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IXFN24N100F - 

晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

IXYS RF IXFN24N100F
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制造商:
IXYS RF IXYS RF
制造商产品编号:
IXFN24N100F
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1347749
技术数据表:
(EN)
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IXFN24N100F
库存编号:IXFN24N100F-ND
IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B0
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IXFN24N100F产品信息

  漏源电压, Vds  1kV  
  电流, Id 连续  24A  
  功耗 Pd  600W  
  工作频率最小值  -  
  运行频率最大值  500kHz  
  射频晶体管封装  SOT-227B  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
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IXFN24N100F
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN24N100F
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IXYS Corporation

MOSFET

RoHS: Compliant

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IXYS - IXFN24N100F - MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B

详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN24N100F
仓库库存编号:IXFN24N100F-ND

无铅
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IXFN24N100F
IXYS RF IXFN24N100F
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IXYS RF

晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

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场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFN24N100F产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.03
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