SPD03N60C3ATMA1,2212860,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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SPD03N60C3ATMA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON SPD03N60C3ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
2212860
技术数据表：
(EN)
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SPD03N60C3ATMA1
库存编号:448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-317237
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SPD03N60C3ATMA1
库存编号:448-SPD03N60C3ATMA1DKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-317237
1起订		1+
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￥17.82
￥12.55
￥9.15
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SPD03N60C3ATMA1
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SPD03N60C3ATMA1
库存编号:726-SPD03N60C3ATMA1		 Infineon Technologies AG MOSFETs LOW POWER_LEGACY2274
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SPD03N60C3ATMA1
库存编号:SPD03N60C3ATMA1		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 600(Min)V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: SPD03N60C3ATMA1)5000
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SPD03N60C3ATMA1产品概述

The SPD03N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
  • New revolutionary high voltage technology
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Improved transconductance
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 通信与网络, 消费电子产品, 电源管理

SPD03N60C3ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  3.2A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  1.26ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  38W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_LEGACY

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600(Min)V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: SPD03N60C3ATMA1)

RoHS: Compliant

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SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600(Min)V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SPD03N60C3ATMA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPD03N60C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG  

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Infineon Technologies - SPD03N60C3ATMA1 - MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1

型号：SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号：SPD03N60C3ATMA1-ND
别名：SP001117760 <br>

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SPD03N60C3ATMA1
INFINEON SPD03N60C3ATMA1		2212860

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPD03N60C3ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.003629
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