IPD90R1K2C3ATMA1,1664030,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPD90R1K2C3ATMA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPD90R1K2C3ATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：
1664030
技术数据表：
(EN)
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IPD90R1K2C3ATMA1产品概述

The IPD90R1K2C3 is a 900V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for quasi resonant flyback/forward topologies and PC silverbox applications.
  • Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 电源管理, 照明, 消费电子产品

IPD90R1K2C3ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5.1A  
  漏源电压, Vds  900V  
  在电阻RDS（上）  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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型号 制造商 描述 操作
IPD90R1K2C3ATMA1
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MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

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MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2

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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD90R1K2C3ATMA1)

RoHS: Compliant

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IPD90R1K2C3ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD90R1K2C3ATMA1)

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MOSFET, N, TO-252

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MOSFET, N, TO-252

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Single N-Channel 900 V 1.2 Ohm 28 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-252-3

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IPD90R1K2C3ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 900 V 1.2 Ohm 28 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-252-3

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IPD90R1K2C3ATMA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 3.2A, 83W, PG-TO252-3

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Infineon Technologies - IPD90R1K2C3ATMA1 - MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT <br> 		无铅搜索
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

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INFINEON IPD90R1K2C3ATMA1		1664030RL

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无图IPD90R1K2C3ATMA1
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
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IPD90R1K2C3ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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