BSP315P,1214289,晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V,INFINEON
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BSP315P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSP315P
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制造商产品编号:
BSP315P
仓库库存编号:
1214289
技术数据表:
(EN)
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BSP315P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  1.17A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  800mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  1.8W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSP315PH6327XTSA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

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MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

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MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3

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BSP315P L6327
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MOSFET P-Ch -60V 1.17A SOT-223-3

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MOSFET MOSFET P-Channel

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MOSFET P-CHANNEL MOS

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Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans MOSFET P-CH -60V -1.17A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: BSP315P H6327)

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Trans MOSFET P-CH -60V -1.17A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BSP315PH6327XTSA1)

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Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Single P-Channel 60 V 0.8 Ohm 5.2 nC SIPMOS? Small Signal Mosfet - SOT-223

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Single P-Channel 60 V 0.8 Ohm 5.2 nC SIPMOS? Small Signal Mosfet - SOT-223

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BSP315PH6327XTSA1
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Drive: logic level Housing type: SOT-223 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.8 W

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型号 制造商 描述 操作
BSP315PH6327XTSA1
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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -1.17A, 1.8W, PG-SOT223

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, -50V, -1.17A, 1.8W, SOT223

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BSP315P
INFINEON BSP315P
1214289

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V

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Infineon - BSP315PH6327XTSA1 - MOSFET P, -60 V -1.17 A 1.8 W SOT-223, BSP315PH6327XTSA1, Infineon
Infineon
MOSFET P, -60 V -1.17 A 1.8 W SOT-223, BSP315PH6327XTSA1, Infineon


型号:BSP315PH6327XTSA1
仓库库存编号:110-85-414

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Infineon Technologies - BSP315P-E6327 - MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4

型号:BSP315P-E6327
仓库库存编号:BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327 <br>BSP315PINCT <br>
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Infineon Technologies - BSP315PE6327T - MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4

型号:BSP315PE6327T
仓库库存编号:BSP315PXTINCT-ND
别名:BSP315PXTINCT <br>
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Infineon Technologies - BSP315PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4

型号:BSP315PH6327XTSA1
仓库库存编号:BSP315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP315PH6327XTSA1CT <br>

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Infineon Technologies - BSP315PL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4

型号:BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号:BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP315PL6327 <br>BSP315PL6327INCT <br>BSP315PL6327INCT-ND <br>
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无图BSP 315P
Infineon Technologies
原厂原装货
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BSP315P|INFINEONBSP315P
INFINEON
场效应管 MOSFET P SOT-223
Rohs

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BSP315P产地与重量

原产地:
Georgia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0015
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