BFR840L3RHESDE6327XTSA1,2480687,晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE,INFINEON
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - 

晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

INFINEON BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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制造商产品编号：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
仓库库存编号：
2480687
技术数据表：
(EN)
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  2.25V  
  过渡频率, ft  75GHz  
  功耗 Pd  75mW  
  集电极直流电流  35mA  
  直流电流增益, hFE  150hFE  
  射频晶体管封装  TSLP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS

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Trans GP BJT 2.25V 0.035A 3-Pin TSLP T/R (Alt: BFR840L3RHESDE6327XTSA1)

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Trans GP BJT 2.25V 0.035A 3-Pin TSLP T/R - Tape and Reel (Alt: BFR840L3RHESDE6327XTSA1)

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 3-Pin TSLP T/R

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
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RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 75GHZ, TSLP

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RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 75GHZ, TSLP

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Infineon Technologies		射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTORS
Rohs

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
INFINEON BFR840L3RHESDE6327XTSA1		2480687

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晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

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INFINEON BFR840L3RHESDE6327XTSA1		2480687RL

INFINEON

晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

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Infineon Technologies - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3		Infineon Technologies
TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3
详细描述：RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9

型号：BFR840L3RHESDE6327XTSA1
仓库库存编号：BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT-ND
别名：BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT <br>

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000006
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