FQD9N25TM,2453900,晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD9N25TM - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD9N25TM
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制造商产品编号：
FQD9N25TM
仓库库存编号：
2453900
技术数据表：
(EN)
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FQD9N25TM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  7.4A  
  漏源电压, Vds  250V  
  在电阻RDS（上）  0.33ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  55W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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MOSFET, N-CH, 250V, 7.4A, TO-252AA-3

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FQD9N25TM
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Single N-Channel 250 V 0.42 Ohm 20 nC 2.5 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 250V, 4.7A, 55W, DPAK, QFET?

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FQD9N25TM
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD9N25TM		2453900

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V

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ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD9N25TM		2453900RL

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晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V

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Fairchild/ON Semiconductor - FQD9N25TM - MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak

型号：FQD9N25TM
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Fairchild/ON Semiconductor - FQD9N25TM_F085 - MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak

型号：FQD9N25TM_F085
仓库库存编号：FQD9N25TM_F085CT-ND
别名：FQD9N25TM_F085CT <br>

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FQD9N25TM|Fairchild SemiconductorFQD9N25TM
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
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FQD9N25TM_F080|Fairchild SemiconductorFQD9N25TM_F080
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
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Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQD9N25TM产地与重量

原产地：
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00026
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