FQD10N20CTM,2453893,晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD10N20CTM - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD10N20CTM
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FQD10N20CTM
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2453893
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FQD10N20CTM
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onsemi MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK0
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FQD10N20CTM_F080
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onsemi MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK0
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FQD10N20CTM
库存编号:2453893
onsemi , MOSFET, N, 200V, 7.8A, TO-252AA-30
5起订
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FQD10N20CTM
库存编号:2453893RL
onsemi , MOSFET, N, 200V, 7.8A, TO-252AA-30
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FQD10N20CTM
库存编号:FQD10N20CTM
onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 50W, DPAK0
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FQD10N20CTM Fairchild Semiconductor Corporation POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7.8A I(D), 200V, 0.36OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA755
1起订
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51+
200+
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FQD10N20CTM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  7.8A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  0.29ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  50W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FQD10N20CTM
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

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FQD10N20CTM
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

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MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

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FQD10N20CTM
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MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

RoHS: Compliant

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FQD10N20CTM_F080
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MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab

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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQD10N20CTM)

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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD10N20CTM)

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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD10N20CTM)

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MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3

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Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 50W, DPAK, QFET?

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FQD10N20CTM|FAIRCHILDFQD10N20CTM
FAIRCHILD
FQD10N20C 系列 200 V 0.36 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252
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FQD10N20CTM_F080|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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FQD10N20CTM|FAIRCHILDFQD10N20CTM
FAIRCHILD
FQD10N20C 系列 200 V 0.36 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252
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Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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FQD10N20CTM_F080|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FQD10N20CTM
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD10N20CTM
2453893

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

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FQD10N20CTM
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD10N20CTM
2453893RL

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Fairchild/ON Semiconductor - FQD10N20CTM - MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak

型号:FQD10N20CTM
仓库库存编号:FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT <br>

无铅
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Fairchild/ON Semiconductor - FQD10N20CTM_F080 - MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak

型号:FQD10N20CTM_F080
仓库库存编号:FQD10N20CTM_F080-ND

无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FQD10N20CTM - Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FQD10N20CTM, 7.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
FQD10N20CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0936
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQD10N20CTM产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00026
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