FDS6675BZ.,2132192,场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11mA,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS6675BZ. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11mA

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6675BZ.
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制造商产品编号：
FDS6675BZ.
仓库库存编号：
2132192
技术数据表：
(EN)
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FDS6675BZ.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -11A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  0.0108ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -2V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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FDS6675BZ.替代选择

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MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: FDS6675BZ)

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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: FDS6675BZ)

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Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R - Cut Tape Product (Alt: FDS6675BZ)

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-30V.-11A,13 OHM, PCH, POWER T

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MOSFET, P CH, -30V, -11A, SOIC

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MOSFET, P, SMD, SO-8

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P CHANNEL MOSFET, -30V, -11A

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P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8

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P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -11A, 2.5W, SO8, PowerTrench?

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11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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FDS6675BZ
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation

11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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Fairchild/ON Semiconductor - FDS6675BZ - MOSFET P-CH 30V 8-SOIC		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

型号：FDS6675BZ
仓库库存编号：FDS6675BZCT-ND
别名：FDS6675BZCT <br>

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Fairchild Semiconductor - FDS6675BZ - Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6675BZ, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
FDS6675BZ
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-0598
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FDS6675BZ.
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6675BZ.		2132192

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场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11mA

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ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6675BZ		1495209

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V

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晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V

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ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6675BZ		1495209RL

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晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V

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FDS6675BZ|FAIRCHILDFDS6675BZ
FAIRCHILD		FDS6675BZ 系列 P 沟道 30 V 7.8 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Rohs

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无图FDS6675BZ-BKN
FSC		TRANS MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
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FDS6675BZ|Fairchild Optoelectronics GroupFDS6675BZ
Fairchild Optoelectronics Group		MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Rohs

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FDS6675BZ|FAIRCHILDFDS6675BZ
FAIRCHILD		FDS6675BZ 系列 P 沟道 30 V 7.8 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Rohs

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FDS6675BZ|Fairchild SemiconductorFDS6675BZ
Fairchild Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDS6675BZ.产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000227
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