FCP380N60E,2254237,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FCP380N60E - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FCP380N60E
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制造商产品编号:
FCP380N60E
仓库库存编号:
2254237
技术数据表:
(EN)
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FCP380N60E产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  10.2A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.32ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  106W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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FCP380N60E
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MOSFET N-CH 600V TO220-3

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ON Semiconductor

MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: FCP380N60E)

RoHS: Compliant

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FCP380N60E
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FCP380N60E)

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FCP380N60E|Fairchild SemiconductorFCP380N60E
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
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FCP380N60E
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FCP380N60E
2254237

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V

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Fairchild Semiconductor - FCP380N60E - Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
FCP380N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9109
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Fairchild/ON Semiconductor - FCP380N60E - MOSFET N-CH 600V TO220-3
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3

详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3

型号:FCP380N60E
仓库库存编号:FCP380N60E-ND

无铅
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCP380N60E产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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