CPC5602C,2410645,场效应管, MOSFET, N沟道, 耗尽型, 350V, 8Ω, 5MA, SOT-223-4, 整卷,CLARE
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CPC5602C - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 耗尽型, 350V, 8Ω, 5MA, SOT-223-4, 整卷

CLARE CPC5602C
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制造商：
CLARE CLARE
制造商产品编号：
CPC5602C
仓库库存编号：
2410645
技术数据表：
(EN)
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CPC5602C产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  130mA  
  漏源电压, Vds  350V  
  在电阻RDS（上）  8ohm  
  电压 @ Rds测量  350mV  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  85°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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CPC5602CTR
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MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223

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CPC Series 350 V 5 mA N-Channel Surface Mount Depletion Mode FET - SOT-223

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IXYS Integrated Circuits Division Inc		CPC 系列 350 V 5 mA N 沟道 表面贴装 耗尽型 FET - SOT-223
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CPC5602C
CLARE CPC5602C		1653648

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晶体管, MOSFET, N沟道, 130 mA, 350 V, 8 ohm, -350 mV

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IXYS Integrated Circuits Division - CPC5602CTR - MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223		IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223

型号：CPC5602CTR
仓库库存编号：CLA298CT-ND
别名：CLA298CT <br>

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QQ:800152669

CPC5602C产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000172
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