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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMGD290XN,115
NEXPERIA PMGD290XN,115
1758099

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

(EN)
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PMGD290XN,115
NEXPERIA PMGD290XN,115
1758099RL

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V

(EN)
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PMGD290XN,115.
NEXPERIA PMGD290XN,115.
2395486

NEXPERIA

场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - PMGD290XN,115 - Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
PMGD290XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8394
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图PMGD290XN 115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
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无图PMGD290XN,11
NXP
MOSFET,双,N沟道,20V,0.86A,SOT363
Rohs

暂无PDF 
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PMGD290XN,115|NXPPMGD290XN,115
NXP
PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
Rohs

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PMGD290XN115|NXPPMGD290XN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PMGD290XN,115|NXP SemiconductorsPMGD290XN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363
Rohs

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无图PMGD290XN,115
NXP
PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363
Rohs

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PMGD290XN,115|NXP SemiconductorsPMGD290XN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP
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无图PMGD290XN,11
NXP
MOSFET,双,N沟道,20V,0.86A,SOT363
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PMGD290XN115|NXPPMGD290XN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Nexperia USA Inc. - PMGD290XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号:PMGD290XN,115
仓库库存编号:1727-3126-1-ND
别名:1727-3126-1 <br>568-2366-1 <br>568-2366-1-ND <br>

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