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PMGD290XN,115.
2395486
NEXPERIA

场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363
(EN)
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PMGD290XN,115
1758099
NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
搜索词：PMGD290XN,11,
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PMGD290XN,115
1758099RL
NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
PMGD290XN,115	1758099	NEXPERIA 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V (EN)	搜索
PMGD290XN,115	1758099RL	NEXPERIA 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 1 V (EN)	搜索
PMGD290XN,115.	2395486	NEXPERIA 场效应管, MOSFET阵列, 双路N 通道, 20V, 860MA, 6-sot-363 (EN)	搜索

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号：PMGD290XN,115 仓库库存编号：1727-3126-1-ND 别名：1727-3126-1 <br>568-2366-1 <br>568-2366-1-ND <br>	无铅	搜索

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	PMGD290XN 115 NXP Semiconductors	MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 暂无PDF	查价格库存查看详细
	PMGD290XN,11 NXP	MOSFET，双，N沟道，20V，0.86A，SOT363 暂无PDF	查价格库存查看详细
	PMGD290XN,115 NXP	PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363	查价格库存查看详细
	PMGD290XN115 NXP	场效应管 MOSFET N沟道微槽技术双路 20V SOT363	查价格库存查看详细

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	PMGD290XN,115 NXP Semiconductors	MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363	查价格库存查看详细

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
	PMGD290XN,115 NXP	PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363	查价格库存查看详细
	PMGD290XN,115 NXP Semiconductors	MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP	查价格库存查看详细
	PMGD290XN,11 NXP	MOSFET，双，N沟道，20V，0.86A，SOT363 暂无PDF	查价格库存查看详细
	PMGD290XN115 NXP	场效应管 MOSFET N沟道微槽技术双路 20V SOT363	查价格库存查看详细

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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

操作

Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD290XN,115, 860 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号：
PMGD290XN,115
品牌：
Nexperia
库存编号：
725-8394

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

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