SUP75P03-07-E3,1794812,晶体管, MOSFET, P沟道, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V,VISHAY
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SUP75P03-07-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -75 A, -30 V, 5.5 mohm, -10 V, -1 V

VISHAY SUP75P03-07-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SUP75P03-07-E3
仓库库存编号：
1794812
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SUP75P03-07-E3产品概述

The SUP75P03-07-E3 from Vishay is a through hole, 30V P channel MOSFET in TO-220AB package.
  • Drain to source voltage (Vds) of -30V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -75A
  • Power dissipation (Pd) of 187W
  • Low on state resistance of 8mohm at Vgs -4.5V
  • Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

SUP75P03-07-E3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -75A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  5.5mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  187W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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SUP75P03-07-E3产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0019
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