SUD08P06-155L-GE3,2679715,晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V,VISHAY
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4.7μF 63V 5mm
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SUD08P06-155L-GE3
SUD08P06-155L-GE3 -
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V
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制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
2679715
技术数据表:
(EN)
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SUD08P06-155L-GE3产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-8.2A
漏源电压, Vds
-60V
在电阻RDS(上)
0.125ohm
电压 @ Rds测量
-10V
阈值电压 Vgs
-2V
功耗 Pd
20.8W
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 P沟道
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电流, Id 连续 -8.2A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -8.2A
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漏源电压, Vds -60V
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在电阻RDS(上) 0.125ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.125ohm
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电压 @ Rds测量 -10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V
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阈值电压 Vgs -2V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2V
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功耗 Pd 20.8W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 20.8W
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晶体管封装类型 TO-252
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
VISHAY 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 TrenchFET Series
VISHAY 产品范围 TrenchFET Series
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series
汽车质量标准 -
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
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MSL MSL 1 -无限制
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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邮箱:
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Q Q:
800152669
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SUD08P06-155L-GE3产地与重量
原产地:
Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000426
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