SQS481ENW-T1_GE3,2747689,晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V,VISHAY
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SQS481ENW-T1_GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY SQS481ENW-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SQS481ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
2747689
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQS481ENW-T1_GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -4.7A  
  漏源电压, Vds  -150V  
  在电阻RDS（上）  0.91ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  62.5W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SQS481ENW-T1_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: No

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SQS481ENW-T1_GE3
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MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: No

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MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8

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SQS481ENW-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SQS481ENW-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Channel Automotive 150V 4.7A 8-Pin PowerPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SQS481ENW-T1_GE3)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SQS481ENW-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, AEC-Q101, P-CH, POWERPAK 1212

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Vishay Siliconix - SQS481ENW-T1_GE3 - MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8

型号：SQS481ENW-T1_GE3
仓库库存编号：SQS481ENW-T1_GE3CT-ND
别名：SQS481ENW-T1_GE3CT <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SQS481ENW-T1_GE3
VISHAY SQS481ENW-T1_GE3		2747689

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V

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SQS481ENW-T1_GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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