SQJA00EP-T1_GE3,2708312,晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V,VISHAY
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SQJA00EP-T1_GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SQJA00EP-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号：
2708312
技术数据表：
(EN)
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SQJA00EP-T1_GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0105ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  48W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SQJA00EP-T1_GE3
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MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

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SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Channel Automotive 60V 30A 4-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SQJA00EP-T1_GE3)

RoHS: Not Compliant

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SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

SQJA00EP-T1_GE3**MULT1^9172^3107003

RoHS: Compliant

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SQJA00EP-T1_GE3
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SQJA00EP-T1_GE3**MULT1^9172^3107003

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SQJA00EP-T1_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, POWERPAK SO

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Vishay Siliconix - SQJA00EP-T1_GE3 - MOSFET N-CH 60V 30A SO8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号：SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA00EP-T1_GE3CT <br>

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SQJA00EP-T1_GE3
VISHAY SQJA00EP-T1_GE3		2708312

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQJA00EP-T1_GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000186
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