SIS892DN-T1-GE3,2083727,场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 30A, POWERPAK 1212-8,VISHAY
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SIS892DN-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 30A, POWERPAK 1212-8

VISHAY SIS892DN-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号：
2083727
技术数据表：
(EN)
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-89036
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10+
100+
500+
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￥26.66
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SIS892DN-T1-GE3
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-86000
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:78-SIS892DN-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V319
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3)0
3000起订		3000+
6000+
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24000+
￥7.9
￥7.75
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:84397734		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R0
3000起订		3000+
￥12.96
1-2周询价 询价
SIS892DN-T1-GE3
库存编号:73578917		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R0
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250+
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, 100V, 27A, Idm: 50A, 43W0
1起订		1+
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1000+
￥18.77
￥15.7
￥12.47
￥11.3
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￥9.71
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SIS892DN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  30A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.024ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.2V  
  功耗 Pd  52W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SIS892DN-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIS892DN-T1-GE3
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MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

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SIS892DN-T1-GE3
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MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

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MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

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MOSFET

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SIS892DN-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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MOSFET,N CH,DIODE,100V,30A,PPAK12128

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MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1

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MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

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Vishay Siliconix - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8

型号：SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号：SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS892DN-T1-GE3CT <br>

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SIS892DN-T1-GE3
VISHAY SIS892DN-T1-GE3		1859009

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V

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SIS892DN-T1-GE3
VISHAY SIS892DN-T1-GE3		2083727

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 30A, POWERPAK 1212-8

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SIS892DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSIS892DN-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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SIS892DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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Siliconix / Vishay - SIS892DN-T1-GE3 - 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V|70459593 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

型号：SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号：70459593

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SIS892DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIS892DN-T1-GE3产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000517
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