SIS410DN-T1-GE3,1779235,晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V,VISHAY
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SIS410DN-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SIS410DN-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号：
1779235
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIS410DN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  4mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.2V  
  功耗 Pd  5.2W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

SIS410DN-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001
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