SIR870ADP-T1-RE3,2729842,晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V,VISHAY
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SIR870ADP-T1-RE3
SIR870ADP-T1-RE3 -
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V
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制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号:
2729842
技术数据表:
(EN)
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SIR870ADP-T1-RE3产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
60A
漏源电压, Vds
100V
在电阻RDS(上)
0.0055ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
104W
晶体管封装类型
PowerSO
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 60A
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漏源电压, Vds 100V
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在电阻RDS(上) 0.0055ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3V
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功耗 Pd 104W
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针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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产品范围 TrenchFET Series
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
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Q Q:
800152669
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SIR870ADP-T1-RE3产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
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