SIHP30N60E-GE3.,2311566,场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-220AB-3,VISHAY
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SIHP30N60E-GE3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-220AB-3

VISHAY SIHP30N60E-GE3.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHP30N60E-GE3.
仓库库存编号：
2311566
技术数据表：
(EN)
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SIHP30N60E-GE3.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  29A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.104ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  250W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SIHP30N60E-GE3.关联产品

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Vishay Siliconix - SIHP30N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）

型号：SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号：SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名：SIHP30N60E-GE3CT <br>

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SIHP30N60E-GE3|VISHAYSIHP30N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.125 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet- TO-220AB
Rohs

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SIHP30N60E-GE3
VISHAY SIHP30N60E-GE3		2364087

VISHAY

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V

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SIHP30N60E-GE3.
VISHAY SIHP30N60E-GE3.		2311566

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-220AB-3

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SIHP30N60E-GE3|VISHAYSIHP30N60E-GE3
VISHAY		E-系列 N 沟道 600 V 0.125 Ohm 法兰安装 高压 功率 MOSfet- TO-220AB
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SIHP30N60E-GE3|VISHAY SILICONIXSIHP30N60E-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SiHP30N60E-GE3 - Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
SiHP30N60E-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
768-9348
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHP30N60E-GE3.产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000454
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