SIHH14N65E-T1-GE3,2576522,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.225 ohm, 10 V, 4 V,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SIHH14N65E-T1-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.225 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SIHH14N65E-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHH14N65E-T1-GE3
仓库库存编号：
2576522
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SIHH14N65E-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  15A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  0.225ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  156W  
  晶体管封装类型  PowerPAK  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  E-Series  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SIHH14N65E-T1-GE3关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

SIHH14N65E-T1-GE3相关搜索

晶体管极性 N沟道  VISHAY 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 15A  VISHAY 电流, Id 连续 15A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 15A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 15A   漏源电压, Vds 650V  VISHAY 漏源电压, Vds 650V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 650V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 650V   在电阻RDS（上） 0.225ohm  VISHAY 在电阻RDS（上） 0.225ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 0.225ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 0.225ohm   电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4V  VISHAY 阈值电压 Vgs 4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4V   功耗 Pd 156W  VISHAY 功耗 Pd 156W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 156W  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 156W   晶体管封装类型 PowerPAK  VISHAY 晶体管封装类型 PowerPAK  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 PowerPAK  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 PowerPAK   针脚数 5引脚  VISHAY 针脚数 5引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 5引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 5引脚   工作温度最高值 150°C  VISHAY 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 E-Series  VISHAY 产品范围 E-Series  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 E-Series  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 E-Series   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIHH14N65E-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000209
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com