SIHG47N60S-E3,1858986,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 V,VISHAY
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SIHG47N60S-E3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SIHG47N60S-E3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHG47N60S-E3
仓库库存编号：
1858986
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHG47N60S-E3产品概述

The SIHG47N60S-E3 is a 600V N-channel MOSFET with super junction technology to minimize on-resistance and withstand high energy pulse. This S series MOSFET features generation one and ultra low gate charge. Suitable for PFC power supplies, hard switching topologies, solar inverters, telecom and server applications.
  • 100% Avalanche rated
  • Low figure of merit Ron X Qg

电源管理, 替代能源, 通信与网络, 工业

SIHG47N60S-E3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  47A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.057ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  417W  
  晶体管封装类型  TO-247AC  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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SIHG47N60S-E3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.006024
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