SIA433EDJ-T1-GE3,2679708,晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1.2 V,VISHAY
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晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1.2 V

VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIA433EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
2679708
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIA433EDJ-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -12A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.015ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1.2V  
  功耗 Pd  19W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SC70  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SIA433EDJ-T1-GE3产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0001
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