SIA421DJ-T1-GE3,1690158,场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70,VISHAY
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SIA421DJ-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70

VISHAY SIA421DJ-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIA421DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
1690158
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIA421DJ-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -12A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  56mohm  
  电压 @ Rds测量  20V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  3.5W  
  晶体管封装类型  SC-70  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SIA421DJ-T1-GE3产地与重量

原产地：
Singapore

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00004
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