SI7898DP-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 150 V, 68 mohm, 10 V, 2 V

SI7898DP-T1-GE3产品信息

SI7898DP-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI7898DP-T1-E3.
  
• 1815023

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 4.8A, SOIC

  (EN)
• 搜索

• SI7898DP-T1-E3
  
• 2547296

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 3 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 4 V

  (EN)
• 搜索

SI7898DP-T1-GE3相关搜索

SI7898DP-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000225