SI7450DP-T1-E3,1885181,场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷,VISHAY
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SI7450DP-T1-E3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷

VISHAY SI7450DP-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号：
1885181
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7450DP-T1-E3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5.3A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS（上）  80mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  5.2W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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QQ:800152669

SI7450DP-T1-E3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
0
重量（千克）：
.000224
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