SI7415DN-T1-GE3,1794807,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -1 V,VISHAY
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SI7415DN-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -1 V

VISHAY SI7415DN-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7415DN-T1-GE3
仓库库存编号：
1794807
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7415DN-T1-GE3产品概述

The SI7415DN-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET. Suitable for use in load switches, half bridge motor drives and high voltage non-synchronous buck converters applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • Fast switching

电源管理, 电机驱动与控制

SI7415DN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3.6A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  54mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  1.5W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SI7415DN-T1-GE3替代选择

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电话:400-900-3095
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SI7415DN-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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