SI4532CDY-T1-GE3,1779268RL,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V,VISHAY
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SI4532CDY-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V

VISHAY SI4532CDY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI4532CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
1779268RL
技术数据表:
(EN)
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SI4532CDY-T1-GE3产品概述

The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET? Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT? power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

电源管理

SI4532CDY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  38mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  2.78W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SI4532CDY-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

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MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

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MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

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Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4532CDY-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SI4532CDY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4532CDY-T1-GE3)

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Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R

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MOSFET, NP-CH, 30V, SO8

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N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4532CDY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor,4.3 A,6 A,30V,8-Pin SOIC

RoHS: Compliant

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MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SI4532CDY-T1-GE3|VISHAYSI4532CDY-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET NP沟道 30V SO8
Rohs

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SI4532CDY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4532CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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Vishay - SI4532CDY-T1-GE3 - Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532CDY-T1-GE3, 4.3 A, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4532CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9020
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Vishay Siliconix - SI4532CDY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO

型号:SI4532CDY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4532CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4532CDY-T1-GE3CT
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4532CDY-T1-GE3
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3
1779268

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V

(EN)
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SI4532CDY-T1-GE3
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3
1779268RL

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V

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Siliconix / Vishay - SI4532CDY-T1-GE3 - 8-Pin SOIC 30V 6 A 4.3 A SI4532CDY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor|70459541 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
SI4532CDY-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 6 A, 30V, 8-Pin SOIC


型号:SI4532CDY-T1-GE3
仓库库存编号:70459541

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SI4532CDY-T1-GE3|VISHAYSI4532CDY-T1-GE3
VISHAY
场效应管 MOSFET NP沟道 30V SO8
Rohs

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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4532CDY-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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