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SI4511DY-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.2 A, 20 V, 11.5 mohm, 10 V, 600 mV

VISHAY SI4511DY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI4511DY-T1-GE3
仓库库存编号：
1779267RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4511DY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  7.2A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  11.5mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  600mV  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4511DY-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00025
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