SI4497DY-T1-GE3,2679694,晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SI4497DY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V

VISHAY SI4497DY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI4497DY-T1-GE3
仓库库存编号:
2679694
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!


数据正在加载中...

SI4497DY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -36A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.0027ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.5V  
  功耗 Pd  7.8W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SI4497DY-T1-GE3相关搜索

晶体管极性 P沟道  VISHAY 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -36A  VISHAY 电流, Id 连续 -36A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -36A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -36A   漏源电压, Vds -30V  VISHAY 漏源电压, Vds -30V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V   在电阻RDS(上) 0.0027ohm  VISHAY 在电阻RDS(上) 0.0027ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0027ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0027ohm   电压 @ Rds测量 -10V  VISHAY 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -2.5V  VISHAY 阈值电压 Vgs -2.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2.5V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -2.5V   功耗 Pd 7.8W  VISHAY 功耗 Pd 7.8W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 7.8W  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 7.8W   晶体管封装类型 SOIC  VISHAY 晶体管封装类型 SOIC  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOIC  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOIC   针脚数 8引脚  VISHAY 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 150°C  VISHAY 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 TrenchFET Series  VISHAY 产品范围 TrenchFET Series  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 TrenchFET Series   汽车质量标准 -  VISHAY 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Other transistors

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4497DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant

搜索
  日本2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

搜索
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, -30V, -36A, SOIC

搜索
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, -30V, -36A, SOIC

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

P-CH MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3MOHM @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  美国6号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4497DY-T1-GE3
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

搜索
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI4497DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4497DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图SI4497DY-T1-GE3
VISHAY
MOSFET 30V 36A 7.8W
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
SI4497DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4497DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI4497DY-T1-GE3|VISHAYSI4497DY-T1-GE3
VISHAY
MOSFET 30V 36A 7.8W
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4497DY-T1-GE3
VISHAY SI4497DY-T1-GE3
2646384

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V

(EN)
搜索
SI4497DY-T1-GE3
VISHAY SI4497DY-T1-GE3
2679694

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V

(EN)
查看其他仓库
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SI4497DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO

型号:SI4497DY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4497DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4497DY-T1-GE3CT
无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4497DY-T1-GE3产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示