SI4435DDY-T1-GE3,1858951RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V,VISHAY
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SI4435DDY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V

VISHAY SI4435DDY-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI4435DDY-T1-GE3
仓库库存编号：
1858951RL
技术数据表：
(EN)
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SI4435DDY-T1-GE3产品概述

The SI4435DDY-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET? Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT? power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

电源管理, 消费电子产品

SI4435DDY-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -8.1A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  19.5mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI4435DDY-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000258
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