SI4378DY-T1-E3.,2459617,Transistor Polarity:N Channel,VISHAY
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SI4378DY-T1-E3. - 

Transistor Polarity:N Channel

VISHAY SI4378DY-T1-E3.
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI4378DY-T1-E3.
仓库库存编号:
2459617
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4378DY-T1-E3.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  19A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  0.0022ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  600mV  
  功耗 Pd  1.6W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SI4378DY-T1-E3.关联产品

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Vishay Siliconix - SI4378DY-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO

型号:SI4378DY-T1-E3
仓库库存编号:SI4378DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4378DY-T1-E3CT
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SI4378DY-T1-E3|VISHAYSI4378DY-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 20 V 0.027 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI4378DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4378DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
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单 N 沟道 20 V 0.027 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
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VISHAY

Transistor Polarity:N Channel

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SI4378DY-T1-E3
VISHAY SI4378DY-T1-E3
2547312

VISHAY

晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V

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SI4378DY-T1-E3.产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000256
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