SI4162DY-T1-GE3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19.3A, SOIC-8

SI4162DY-T1-GE3.产品信息

SI4162DY-T1-GE3.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• FDS6670A
  
• 1095016

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 搜索

• FDS6682
  
• 1495211

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V

  (EN)
• 搜索

• IRF8714PBF
  
• 1551901

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 搜索

• IRF8721PBF
  
• 1551902

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.5 mohm, 10 V, 2.35 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• FDS8690
  
• 2322616

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V

  (EN)
• 搜索

• IRF8721TRPBF
  
• 2725924

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 2.35 V

  (EN)
• 搜索

SI4162DY-T1-GE3.关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2011PBF..
  
• 2132307

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 2565917

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16

  (EN)
• 搜索

• IR2011SPBF
  
• 8210799

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边

  (EN)
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SI4162DY-T1-GE3.相关搜索

SI4162DY-T1-GE3.产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000134