SI4134DY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V

SI4134DY-T1-GE3产品信息

SI4134DY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRF7807ZPBF
  
• 1013444

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• IRF7811AVPBF
  
• 1013445

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V

  (EN)
• 搜索

• FDS8878.
  
• 1704836

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 10.2A, SOIC

  (EN)
• 搜索

• STS11N3LLH5
  
• 2344083

• STMICROELECTRONICS

  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

  (EN)
• 搜索

• FDS8878
  
• 2453427

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

SI4134DY-T1-GE3相关搜索

SI4134DY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000167